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IMYH200R100M1HXKSA1
2000V碳化硅沟槽MOSFET
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- 描述
- 特性：- VDSS = 2000 V 在 TVj = 25℃时。IDCC = 26 A 在 Tc = 25℃时。RDS(on) = 100 mΩ 在 VGS = 18 V，TVj = 25℃时。极低的开关损耗。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V。用于硬换相的坚固体二极管。应用：串式逆变器。 太阳能功率优化器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMYH200R100M1HXKSA1
- 商品编号
- C20191548
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.122581克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 耗散功率(Pd) | 217W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.215nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 40pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 131mΩ |
- IMZA120R030M1HXKSA1
- IPA95R130PFD7XKSA1
- IPA95R310PFD7XKSA1
- IPA95R450PFD7XKSA1
- IPB013N06NF2SATMA1
- IPB018N10N5ATMA1
- IPB043N10NF2SATMA1
- IPB95R130PFD7ATMA1
- IPC302N15N3X1SA1
- IPD023N04NF2SATMA1
- IPD028N06NF2SATMA1
- IPD029N04NF2SATMA1
- IPD038N06NF2SATMA1
- IPD052N10NF2SATMA1
- IPD130N10NF2SATMA1
- IPD95R450PFD7ATMA1
- IPDQ60R015CFD7XTMA1
- IPDQ60R017S7AXTMA1
- IPDQ60R017S7XTMA1
- IPDQ60R020CFD7XTMA1
- IPDQ60R022S7AXTMA1