IMYH200R100M1HXKSA1

2000V碳化硅沟槽MOSFET

描述

特性：- VDSS = 2000 V 在 TVj = 25℃时。IDCC = 26 A 在 Tc = 25℃时。RDS(on) = 100 mΩ 在 VGS = 18 V，TVj = 25℃时。极低的开关损耗。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V。用于硬换相的坚固体二极管。应用：串式逆变器。 太阳能功率优化器

品牌名称

Infineon(英飞凌)

商品型号

IMYH200R100M1HXKSA1

商品编号

C20191548

商品封装

TO-247-4​

包装方式

管装

商品毛重

8.122581克(g)