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IMYH200R050M1HXKSA1
2000V 沟槽式碳化硅 MOSFET
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- 描述
- 特性：VDSS = 2000 V at Tvj = 25 °C。 ΔDCC = 48 A at Tc = 25 °C。 RDS(on) = 50 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25 °C。 极低的开关损耗。 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V。 用于硬换向的坚固体二极管。应用：串式逆变器。 太阳能功率优化器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMYH200R050M1HXKSA1
- 商品编号
- C20191546
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 耗散功率(Pd) | 348W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.425nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 81pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ |
商品概述
注意：源极和检测引脚不可互换，互换可能导致故障（仅适用于4引脚、TO263 - 7L封装）
商品特性
- 在Tvj = 25°C时，V_DSS = 2000 V
- 在Tc = 25°C时，ΔDCC = 48 A
- 在V_GS = 18 V_z、Tvj = 25°C时，R_DS(on) = 50 mΩ
- 极低的开关损耗
- 基准栅极阈值电压，V_GS(th) = 4.5 V
- 用于硬换相的坚固体二极管
- 采用.XT互连技术，具备一流的热性能
应用领域
- 串式逆变器
- 太阳能功率优化器
- 电动汽车充电
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