- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IGQ100N120S7XKSA1
IGQ100N120S7XKSA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGQ100N120S7XKSA1
- 商品编号
- C20190998
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 824W；412W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 188A；126A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 300A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V；2V；1.65V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V；6.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 610nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 14.5nF | |
| 输出电容(Coes) | 270pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 60pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 39ns；38ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 200ns；270ns | |
| 导通损耗(Eon) | 10.1mJ；6.87mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 8.84mJ；4.71mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- V_CE = 1200 V
- l_C = 100 A
- 在 T_vj = 175°C 时，低饱和电压 V_CE(sat) = 2.0 V
- 短路耐受时间 8 μs
- 宽范围的 dv/dt 可控性
应用领域
- 工业电源
- 太阳能
- IGQ120N120S7XKSA1
- IGQ75N120S7XKSA1
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