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IKQ120N120CS7XKSA1实物图
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IKQ120N120CS7XKSA1

1.2kV 216A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:VCE = 1200 V-IC = 120 A-IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。 低饱和电压:在 Tvj = 175℃ 时,VCEsat = 2.0 V。 针对硬开关拓扑(2-L 逆变器、3-L NPC T 型等)进行了优化。 短路耐受时间为 8 μs。 宽范围的 dv/dt 可控性。 完整的产品系列和 PSpice 模型。应用:工业驱动器。 工业电源
商品型号
IKQ120N120CS7XKSA1
商品编号
C20191010
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
8.55克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)216A
耗散功率(Pd)1.004kW
集射极饱和电压(VCE(sat))2V@120A,15V
栅极阈值电压(Vge(th))5.1V@2.34mA
栅极电荷量(Qg)710nC@15V
属性参数值
输入电容(Cies)17.3nF@25V
开启延迟时间(Td(on))44ns
关断延迟时间(Td(off))215ns
导通损耗(Eon)10.3mJ
关断损耗(Eoff)5.72mJ
反向恢复时间(Trr)205ns
工作温度-40℃~+175℃

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