IKQ120N120CS7XKSA1
1.2kV 216A
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- 描述
- 特性:VCE = 1200 V-IC = 120 A-IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。 低饱和电压:在 Tvj = 175℃ 时,VCEsat = 2.0 V。 针对硬开关拓扑(2-L 逆变器、3-L NPC T 型等)进行了优化。 短路耐受时间为 8 μs。 宽范围的 dv/dt 可控性。 完整的产品系列和 PSpice 模型。应用:工业驱动器。 工业电源
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKQ120N120CS7XKSA1
- 商品编号
- C20191010
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 216A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.004kW | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@120A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V@2.34mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 710nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 17.3nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 44ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 215ns | |
| 导通损耗(Eon) | 10.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 5.72mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 205ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(30个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个30个/管
总价金额:
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