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IKWH75N65EH7XKSA1
650V 80A
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- 描述
- 特性：VCE = 650 V。 IC = 75 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压 VCEsat。 非常软且快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。 电动汽车充电
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKWH75N65EH7XKSA1
- 商品编号
- C20191524
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.62克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 341W | |
| 输出电容(Coes) | 124pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.65V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.9V@0.66mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.884nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 25ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 195ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.42mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.4mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 89ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 16.8pF |