温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMT65R039M1HXUMA1
650V CoolSiC M1碳化硅沟槽功率器件
- 描述
- 基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术构建。利用宽带隙碳化硅材料特性，提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣的操作环境，能够以简化且经济高效的方式实现最高的系统效率。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMT65R039M1HXUMA1
- 商品编号
- C20191541
- 商品封装
- HSOF-8-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61A | |
| 耗散功率(Pd) | 263W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.393nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 208pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ |
交货周期
订货10-15个工作日购买数量
(2000个/圆盘，最小起订量 2000 个)个
起订量：2000 个2000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单