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IMT65R039M1HXUMA1
650V CoolSiC M1碳化硅沟槽功率器件
- 描述
- 基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术构建。利用宽带隙碳化硅材料特性，提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣的操作环境，能够以简化且经济高效的方式实现最高的系统效率。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMT65R039M1HXUMA1
- 商品编号
- C20191541
- 商品封装
- HSOF-8-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61A | |
| 耗散功率(Pd) | 263W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.393nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 208pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ |
商品概述
650V CoolSiC™基于英飞凌20多年来开发的可靠碳化硅技术构建。利用宽带隙碳化硅材料的特性，650V CoolSiC™ MOSFET在性能、可靠性和易用性方面实现了独特的结合。它适用于高温和恶劣的工作环境，能够以简单且经济高效的方式实现最高的系统效率。
商品特性
- 在较高电流下具有优化的开关特性
- 换向稳健的快速体二极管，Qf较低
- 卓越的栅极氧化物可靠性
- 最高结温Tj,max = 175°C，热性能出色
- 较低的导通电阻RDS(on)，脉冲电流随温度的变化较小
- 雪崩能力增强
- 与标准驱动器兼容（推荐驱动电压：0V - 18V）
- 开尔文源极可使开关损耗降低多达4倍
应用领域
- 开关电源
- 不间断电源
- 太阳能光伏逆变器
- 电动汽车充电基础设施
- D类放大器
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- IPA95R310PFD7XKSA1
- IPA95R450PFD7XKSA1
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- IPB018N10N5ATMA1
- IPB043N10NF2SATMA1
- IPB95R130PFD7ATMA1
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- IPD028N06NF2SATMA1
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