温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMT65R048M1HXUMA1
IMT65R048M1HXUMA1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMT65R048M1HXUMA1
- 商品编号
- C20191542
- 商品封装
- HSOF-8-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@18V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@18V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.118nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 168pF |
商品概述
650 V CoolSiCTM基于英飞凌20多年来研发的成熟碳化硅技术打造。凭借宽带隙碳化硅材料特性,650 V CoolSiCTM MOSFET集高性能、高可靠性和易用性于一身。它适用于高温和恶劣工况,可实现系统最高效率的简化且经济高效的部署。
商品特性
- 大电流下开关特性优化
- 换流稳健的快速体二极管,低反向恢复电荷Qf
- 出色的栅极氧化层可靠性
- 最高结温Tj, max = 175°C,热性能优异
- 导通电阻RDS(on)和脉冲电流随温度的变化更小
- 雪崩能力增强
- 与标准驱动器兼容(推荐驱动电压:0 V - 18 V)
- 开尔文源极可使开关损耗降低多达4倍
应用领域
- 开关电源
- 不间断电源(UPS)
- 太阳能光伏逆变器
- 电动汽车充电基础设施
- 储能与电池化成
- D类放大器
相似推荐
其他推荐
- IMT65R107M1HXUMA1
- IMYH200R012M1HXKSA1
- IPA95R130PFD7XKSA1
- IPA95R310PFD7XKSA1
- IPA95R450PFD7XKSA1
- IPB013N06NF2SATMA1
- IPB018N10N5ATMA1
- IPB043N10NF2SATMA1
- IPB95R130PFD7ATMA1
- IPC302N15N3X1SA1
- IPD023N04NF2SATMA1
- IPD028N06NF2SATMA1
- IPD029N04NF2SATMA1
- IPD038N06NF2SATMA1
- IPD052N10NF2SATMA1
- IPD130N10NF2SATMA1
- IPD95R450PFD7ATMA1
- IPDQ60R015CFD7XTMA1
- IPDQ60R017S7AXTMA1
- IPDQ60R017S7XTMA1
- IPDQ60R020CFD7XTMA1