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IMT65R048M1HXUMA1
IMT65R048M1HXUMA1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMT65R048M1HXUMA1
- 商品编号
- C20191542
- 商品封装
- HSOF-8-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@18V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V@6mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@18V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.118nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 168pF |
商品概述
IPDQ60R040S7为低频开关应用提供了最佳的性价比。CoolMOS™ S7作为高压超结MOSFET，具备极低的RDS(on)值，显著提高了能源效率。CoolMOS™ S7针对“静态开关”和大电流应用进行了优化。它非常适合固态继电器和断路器设计，以及开关电源和逆变器拓扑中的线路整流。
商品特性
- CoolMOS™ S7技术可在最小封装尺寸下实现40mΩ的RDS(on)
- 在低频开关应用中具备优化的性价比
- 高脉冲电流能力
- 开尔文源极引脚可提高大电流下的开关性能
- QDPAK（PG - HDSOP - 22 - 1）提供顶部散热，改善了封装热性能
应用领域
- 固态继电器和断路器-高功率/高性能应用中的线路整流,如计算机、电信、不间断电源和太阳能
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