IMT65R107M1HXUMA1
IMT65R107M1HXUMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMT65R107M1HXUMA1
- 商品编号
- C20191543
- 商品封装
- HSOF-8-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 141mΩ@18V | |
| 耗散功率(Pd) | 138W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 496pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
IPDQ60R017S7为低频开关应用提供了最佳的性价比。CoolMOS S7作为高压超结MOSFET，拥有最低的RDS(on)值，显著提高了能源效率。CoolMOS S7针对“静态开关”和大电流应用进行了优化。它非常适合固态继电器和断路器设计，以及开关电源和逆变器拓扑中的线路整流。
商品特性
- 大电流下开关特性优化
- 换流稳健的快速体二极管,Qfr 低
- 出色的栅极氧化物可靠性
- 最高结温 Tj, max = 175°C,热性能优异
- RDS(on) 和脉冲电流随温度变化小
- 雪崩能力增强
- 与标准驱动器兼容
- 开尔文源极可降低高达 4 倍的开关损耗
应用领域
-开关电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-太阳能光伏逆变器-电动汽车充电基础设施-储能和电池化成-D 类放大器
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