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IKZA40N65EH7XKSA1
高速低饱和电压650 V TRENCHSTOP IGBT7技术
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- 描述
- 特性：VCE = 650 V。 IC = 40 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压 VCEsat。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。 电动汽车充电
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKZA40N65EH7XKSA1
- 商品编号
- C20191534
- 商品封装
- PG-TO247-4-STD-NT3.7
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 210W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.4V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.85V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.026nF | |
| 输出电容(Coes) | 71.4pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 9.1pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 13ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 134ns | |
| 导通损耗(Eon) | 370uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 360uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 49.6ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- VCE = 650V - IC = 40A
- 低开关损耗
- 极低的集电极 - 发射极饱和电压VCEsat
- 非常软、快速恢复的反并联二极管
- 平滑的开关特性
- 耐湿度
- 针对硬开关、两电平和三电平拓扑进行优化
- 完整的产品系列和PSpice模型
应用领域
- 工业不间断电源
- 电动汽车充电
- 组串式逆变器
- 焊接
- IKZA50N120CH7XKSA1
- IKZA50N65EH7XKSA1
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