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IKZA50N120CH7XKSA1引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IKZA50N120CH7XKSA1

高速IGBT 7技术,内置超快恢复、低Qrr发射极控制快速二极管

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商品型号
IKZA50N120CH7XKSA1
商品编号
C20191535
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
耗散功率(Pd)398W
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)100A
集电极脉冲电流(Icm)200A
集电极截止电流(Ices)3.5mA
集射极饱和电压(VCE(sat))1.7V
栅极阈值电压(Vge(th))5.5V
栅极电荷量(Qg)372nC@15V
属性参数值
输入电容(Cies)6.7nF
输出电容(Coes)134pF
反向传输电容(Cres)38pF
开启延迟时间(Td(on))39ns
关断延迟时间(Td(off))333ns
导通损耗(Eon)1.05mJ
关断损耗(Eoff)1.4mJ
反向恢复时间(Trr)96ns
工作温度-40℃~+175℃

商品特性

  • VCE = 1200 V
  • IC = 50 A
  • 最大结温 Tvjmax = 175°C
  • 同类最佳的高速IGBT与全额定电流、低Qrr和软换流高速二极管共封装
  • 在Tvj = 25°C时,低饱和电压VCESat = 1.7 V
  • 针对高速硬开关拓扑(2电平逆变器、3电平NPC T型等)的高效率进行了优化
  • 由于VCEsat的正温度系数,易于并联
  • 无铅引脚电镀;符合RoHS标准

应用领域

  • 工业UPS
  • 电动汽车充电
  • 组串式逆变器
  • 焊接

数据手册PDF