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IKZA75N65EH7XKSA1实物图
  • IKZA75N65EH7XKSA1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IKZA75N65EH7XKSA1

650V 80A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:VCE = 650 V。 IC = 75 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用:工业UPS。 电动汽车充电
商品型号
IKZA75N65EH7XKSA1
商品编号
C20191538
商品封装
TO-247-4​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)80A
耗散功率(Pd)338W
集射极饱和电压(VCE(sat))1.65V@75A,15V
栅极阈值电压(Vge(th))2.9V@0.66mA
栅极电荷量(Qg)152nC@75A,15V
属性参数值
输入电容(Cies)3.886nF@25V
开启延迟时间(Td(on))26ns
关断延迟时间(Td(off))199ns
导通损耗(Eon)750uJ
关断损耗(Eoff)840uJ
反向恢复时间(Trr)56ns
工作温度-40℃~+175℃

数据手册PDF