温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMT65R030M1HXUMA1
650V CoolSiC M1碳化硅沟槽功率器件
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMT65R030M1HXUMA1
- 商品编号
- C20191540
- 商品封装
- HSOF-8-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.866667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 71A | |
| 耗散功率(Pd) | 294W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.643nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 246pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ |
商品概述
650V CoolSiC™ M1碳化硅沟槽功率器件基于英飞凌20多年来开发的成熟碳化硅技术构建。该器件利用宽带隙碳化硅材料特性，将高性能、高可靠性和易用性独特地结合在一起。它适用于高温和恶劣的工作环境，能够以简单且经济高效的方式实现最高的系统效率。
商品特性
- 在较大电流下具有优化的开关特性
- 换向稳健的快速体二极管，Qf值低
- 出色的栅极氧化层可靠性
- 最高结温Tj,max = 175°C，热性能优异
- 较低的导通电阻RDS(on)和脉冲电流对温度的依赖性
- 增强的雪崩能力
- 与标准驱动器兼容（推荐驱动电压：0V - 18V）
- 开尔文源极可将开关损耗降低多达4倍
应用领域
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 太阳能光伏逆变器
- 电动汽车充电基础设施
- D类放大器
- IMT65R039M1HXUMA1
- IMYH200R024M1HXKSA1
- IMYH200R050M1HXKSA1
- IMYH200R075M1HXKSA1
- IMYH200R100M1HXKSA1
- IMZA120R030M1HXKSA1
- IMT65R048M1HXUMA1
- IMT65R107M1HXUMA1
- IMYH200R012M1HXKSA1
- IPA95R130PFD7XKSA1
- IPA95R310PFD7XKSA1
- IPA95R450PFD7XKSA1
- IPB013N06NF2SATMA1
- IPB018N10N5ATMA1
- IPB043N10NF2SATMA1
- IPB95R130PFD7ATMA1
- IPC302N15N3X1SA1
- IPD023N04NF2SATMA1
- IPD028N06NF2SATMA1
- IPD029N04NF2SATMA1
- IPD038N06NF2SATMA1