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IMT65R030M1HXUMA1
650V CoolSiC M1碳化硅沟槽功率器件
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMT65R030M1HXUMA1
- 商品编号
- C20191540
- 商品封装
- HSOF-8-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.866667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 294W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.643nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 246pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ |