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IKY100N120CH7XKSA1
1.2kV 212A
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- 描述
- 特性：VCE = 1200 V。 IC = 100 A。 最高结温 Tvjmax = 175℃。 同类最佳高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换相高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃时）。 针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业UPS。 电动汽车充电
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKY100N120CH7XKSA1
- 商品编号
- C20191525
- 商品封装
- PG-TO247-4-PLUS-NN5.1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 721W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 212A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.15V@100A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.7V@1.6mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 714nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 13nF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出电容(Coes) | 240pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 72pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 44ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 359ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.37mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.65mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 99ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- VCE = 1200V - IC = 100A - 最大结温 Tvjmax = 175°C - 同类最佳的高速IGBT与全额定电流、低Qrr和软换流高速二极管共封装
- 在Tvj = 25°C时，低饱和电压VCEsat = 1.7V
- 针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化
- 由于VCEsat具有正温度系数，易于并联
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 完整的产品系列和PSpice模型
应用领域
- 工业UPS
- 电动汽车充电
- 组串式逆变器
- 焊接
- IKY120N120CH7XKSA1
- IKY120N65EH7XKSA1
- IKY140N120CH7XKSA1
- IKY50N120CH7XKSA1
- IKY75N120CH7XKSA1
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