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IKQ75N120CS7XKSA1
1200V TRENCHSTOP IGBT 7技术
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- 描述
- 特性：VCE = 1200 V，IC = 75 A，IGBT与全电流、软恢复且低Qrr的二极管共封装。 低饱和电压：在Tvj = 175℃时，VCEsat = 2.0 V。 针对硬开关拓扑进行优化（如2-L逆变器、3-L NPC T型等）。 短路耐受时间为8 μs。 具备宽范围的dv/dt可控性。 完整的产品系列和PSpice模型。应用：工业驱动器。 工业电源
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKQ75N120CS7XKSA1
- 商品编号
- C20191015
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 154A | |
| 耗散功率(Pd) | 630W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V@1.5mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 450nC@75A,15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 11.2nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 38ns | |
| 导通损耗(Eon) | 5.13mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.48mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 193ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
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