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IKWH50N65EH7XKSA1
650V 80A
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- 描述
- 特性：VCE = 650 V。 IC = 50 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。 电动汽车充电
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKWH50N65EH7XKSA1
- 商品编号
- C20191523
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 249W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.65V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.9V@0.44mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@50A,15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.566nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 147ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.27mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 650uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 76ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
优惠活动
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