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IKWH40N65EH7XKSA1
650V 80A
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- 描述
- 高速、低饱和电压650 V TRENCHSTOP IGBT7技术，与软、快速恢复发射极控制7二极管共封装。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKWH40N65EH7XKSA1
- 商品编号
- C20191522
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.65V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.9V@0.35mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@40A,15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.016nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 141ns | |
| 导通损耗(Eon) | 970uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 420uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 74ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |