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IKQB160N75CP2AKSA1
750V 200A
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- 描述
- 特性：VCE = 750 V。 IC = 160 A。 低饱和电压 VCEsat = 1.4 V。 低开关损耗。 短路耐受时间 3 μs。 IGBT 与全电流、软快速恢复二极管共封装。应用：CAV 动力总成控制模块。 通用驱动器 (GPD)
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKQB160N75CP2AKSA1
- 商品编号
- C20191517
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 750V | |
| 集电极电流(Ic) | 200A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.65V@160A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@2.15mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 610nC@160A,15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 16.5nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 72ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 324ns | |
| 导通损耗(Eon) | 9.7mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 5.2mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 255ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- VCE = 750 V
- IC = 160 A
- 低饱和电压 VCESat = 1.4 V
- 低开关损耗
- 短路耐受时间 3 μs
- IGBT 与全电流、软快速恢复二极管共封装
- 针对高达 10 kHz 的硬开关拓扑进行优化
- 封装背面适合在 245°C 下进行 3 次回流焊接
- 引脚镀层可实现电阻焊
优惠活动
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
总价金额：
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