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IKQ50N120CH7XKSA1
1.2kV 71A
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- 描述
- 特性：VCE = 1200 V。 IC = 50 A。 最高结温 Tvjmax = 175°C。 同类最佳的高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25°C时）。 针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业不间断电源。 电动汽车充电
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKQ50N120CH7XKSA1
- 商品编号
- C20191013
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 11.866667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 71A | |
| 耗散功率(Pd) | 398W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.15V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.7V@0.8mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 366nC@50A,15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.6nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 40ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 323ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.61mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 133ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
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