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IKQ75N120CH7XKSA1
1.2kV 82A
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- 描述
- 特性：VCE = 1200V。 IC = 75A。 最高结温 Tvjmax = 175℃。 同类最佳的高速IGBT与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7V（Tvj = 25℃时）。 针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业UPS。 电动汽车充电
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKQ75N120CH7XKSA1
- 商品编号
- C20191014
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.95克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 82A | |
| 耗散功率(Pd) | 549W | |
| 输出电容(Coes) | 184pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.15V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.7V@1.2mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 518nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 9.6nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 56ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 470ns | |
| 导通损耗(Eon) | 5.28mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.76mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 149ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 54pF |
商品特性
- VCE = 1200 V
- ∂C = 75 A
- 最大结温 Tvjmax = 175°C
- 同类最佳的高速 IGBT，与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装
- 饱和电压低，在 Tvj = 25°C 时，VCESat = 1.7 V
- 针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化
- 由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准
- 完整的产品系列和 PSpice 模型
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