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IKQ100N120CH7XKSA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IKQ100N120CH7XKSA1

1.2kV 166A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:VCE = 1200 V。 IC = 100 A。 最大结温 Tv(jmax) = 175℃。 同类最佳的高速IGBT,与全额定电流、低Qrr和软换相高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V(Tvj = 25℃)。 针对高速硬开关拓扑(2-L逆变器、3-L NPC T型等)的高效率进行了优化。应用:工业UPS。 EV充电
商品型号
IKQ100N120CH7XKSA1
商品编号
C20191007
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
6.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)166A
耗散功率(Pd)721W
集射极饱和电压(VCE(sat))2.15V@100A,15V
栅极阈值电压(Vge(th))4.7V@1.6mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)696nC@100A,15V
输入电容(Cies)13nF@25V
开启延迟时间(Td(on))66ns
关断延迟时间(Td(off))547ns
反向恢复时间(Trr)148ns
工作温度-40℃~+175℃

商品特性

  • VCE = 1200 V
  • lC = 100 A
  • 最高结温Tvjmax = 175°C
  • 同类最佳的高速IGBT,与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装
  • 饱和电压低,在Tvj = 25°C时,VCESat = 1.7 V
  • 针对高速硬开关拓扑(2-L逆变器、3-L NPC T型等)的高效率进行了优化
  • 由于VCEsat中的正温度系数,易于并联
  • 无铅镀铅;符合RoHS标准
  • 完整的产品系列和PSpice模型

应用领域

  • 工业UPS
  • EV充电
  • 组串式逆变器
  • 焊接

数据手册PDF