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IKQ100N120CS7XKSA1
1.2kV 188A
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- 描述
- 特性：VCE = 1200 V。 IC = 100 A，IGBT与全电流、软恢复且低Qrr的二极管共封装。 低饱和电压：在Tvj = 175℃时，VCEsat = 2.0 V。 针对硬开关拓扑进行优化（2-L逆变器、3-L NPC T型等）。 短路耐受时间8 μs。 宽范围的dv/dt可控性。应用：工业驱动器。 工业电源
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKQ100N120CS7XKSA1
- 商品编号
- C20191008
- 商品封装
- PG-TO247-3-PLUS-NN3.7
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 824W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 188A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@100A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V@2mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 610nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 14.5nF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出电容(Coes) | 270pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 60pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 38ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 200ns | |
| 导通损耗(Eon) | 6.87mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 4.71mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 203ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- VCE = 1200 V - IC = 100 A - IGBT与全电流、软恢复且低Qrr二极管共封装
- 在Tvj = 175°C时，饱和电压VCEsat = 2.0 V
- 针对硬开关拓扑（两电平逆变器、三电平NPC T型等）进行优化
- 短路耐受时间8 μs
- 宽范围的dv/dt可控性
应用领域
- 工业驱动器
- 工业电源
- 太阳能逆变器
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