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IGQ120N120S7XKSA1
1.2kV 216A
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- 描述
- 特性：VCE = 1200 V。 IC = 120 A。 低饱和电压VCEsat = 2.0 V（Tv = 175℃）。 短路耐受能力8 μs。 宽范围的dv/dt可控性。 完整的产品系列和PSpice模型。应用：工业电源。 太阳能
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGQ120N120S7XKSA1
- 商品编号
- C20190999
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 216A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.004kW | |
| 输出电容(Coes) | 325pF | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@120A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V@2.34mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 710nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 17.3nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 44ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 215ns | |
| 导通损耗(Eon) | 10.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 5.72mJ | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 80pF |
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