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IHW30N110R5XKSA1引脚图
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IHW30N110R5XKSA1

IHW30N110R5XKSA1

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商品型号
IHW30N110R5XKSA1
商品编号
C20191004
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
8.55克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型-
耗散功率(Pd)330W
集射极击穿电压(Vces)1.1kV
集电极电流(Ic)30A
集电极脉冲电流(Icm)90A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))1.55V
栅极阈值电压(Vge(th))5.8V
栅极电荷量(Qg)240nC
属性参数值
输入电容(Cies)1.8nF
输出电容(Coes)55pF
反向传输电容(Cres)45pF
开启延迟时间(Td(on))-
关断延迟时间(Td(off))350ns
导通损耗(Eon)-
关断损耗(Eoff)1.2mJ
反向恢复时间(Trr)-
工作温度-40℃~+175℃

商品特性

  • VCE = 1100 V
  • IC = 30 A
  • 强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换相设计
  • 参数分布非常紧密
  • 高鲁棒性,温度稳定性好
  • 极低的VCEsat
  • 由于VCEsat的正温度系数,易于并联开关
  • 低电磁干扰
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准

应用领域

  • 电磁炉
  • 微波炉
  • 电饭煲

数据手册PDF