IAUTN12S5N018GATMA1
IAUTN12S5N018GATMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUTN12S5N018GATMA1
- 商品编号
- C20190990
- 商品封装
- HSOG-8-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.982284克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 310A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 358W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V@270uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.74nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.08nF |
商品特性
- 用于汽车应用的OptiMOS™功率MOSFET
- N沟道 - 增强型 - 标准电平
- 超出AEC - Q101的扩展认证
- 增强型电气测试
- 稳健设计
- 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1
- 175°C工作温度
- 100%雪崩测试
- 极低的反向恢复电荷（Qrr）
应用领域
- 通用汽车应用。
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