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IAUTN06S5N008ATMA1
N沟道 60V 510A
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- 描述
- 特性：用于汽车应用的功率MOSFET。 N沟道增强模式，正常电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。 MSL1可达260℃峰值回流温度。应用：一般汽车应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUTN06S5N008ATMA1
- 商品编号
- C20190986
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 510A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.76mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 358W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 273nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 20.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.16nF |
商品特性
- 适用于汽车应用的OptiMOS™功率MOSFET
- N沟道 - 增强模式 - 标准电平
- 超出AEC-Q101的扩展认证
- 增强型电气测试
- 稳健设计
- 潮湿敏感度等级1（MSL1），最高260°C峰值回流温度
- 175°C工作温度
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
应用领域
- 一般汽车应用。
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