我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
IAUTN06S5N008GATMA1实物图
  • IAUTN06S5N008GATMA1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IAUTN06S5N008GATMA1

N沟道 60V 504A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:N沟道增强模式,正常电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 坚固的设计。 MSL1,最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。应用:一般汽车应用
商品型号
IAUTN06S5N008GATMA1
商品编号
C20190987
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)504A
导通电阻(RDS(on))0.62mΩ@10V
耗散功率(Pd)358W
阈值电压(Vgs(th))2.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)210nC@10V
输入电容(Ciss)15.6nF
反向传输电容(Crss)110pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)3.2nF

商品特性

  • 电气特性
  • 漏源极电压(VDSS) = 1200 V
  • 标称漏极电流(IDN) = 180 A / 重复峰值漏极电流(IDRM) = 360 A
  • 高电流密度
  • 低开关损耗
  • 机械特性
  • 4 kV 交流耐压 1 分钟
  • 预涂覆导热界面材料

应用领域

  • 不间断电源(UPS)系统
  • 太阳能应用
  • DC/DC 转换器
  • 高频开关应用
  • 储能系统
  • 电动汽车直流充电器

数据手册PDF