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IAUCN04S7N005ATMA1
N沟道 耐压:40V 电流:414A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUCN04S7N005ATMA1
- 商品编号
- C20190984
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 414A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 179W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@95uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 127nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.32nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.81nF |
商品特性
- 用于汽车应用的OptiMOS™功率MOSFET
- N沟道 – 增强型 – 逻辑电平
- 超出AEC-Q101的扩展认证
- 增强型电气测试
- 稳健设计
- 湿气敏感度等级1，最高260°C峰值回流温度
- 175°C工作温度
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
应用领域
- 一般汽车应用。
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