温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

TPD4E1B06DRLR

双向ESD 5.5V截止峰值浪涌电流：3A@8/20us

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: TPD4E1B06 采用 SOT 和 SC70 封装且具有 0.5nA 最大泄漏电流的四路 0.7pF、±5.5V、±12kV ESD 保护二极管
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: TPD4E1B06DRLR
商品编号: C1972953
商品封装: SOT(5x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.16克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	5.5V
	钳位电压	10.9V；14.5V
	峰值脉冲电流(Ipp)	3A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	45W@8/20us
	击穿电压	7V

商品概述

TPD4E1B06 是一款4 通道双向瞬态电压抑制器(TVS)二极管阵列。这款器件特有超低泄露电流(0.5nA) 来实现精确模拟测量。±12kV 接触和±15kV 空气间隙ESD 保护超过IEC 61000-4-2 4 级要求。TPD4E1B06 的0.7pF 线路电容值使得它非常适合于精密模拟，USB2.0，以太网，SATA，低压差分信令(LVDS) 和1394 接口。

商品特性

超低泄漏电流0.5nA（最大值）
针对4 条输入输出(I/O) 线路的瞬态保护– IEC 61000-4-2 接触放电 ±12kV，IEC 61000-4-2 空气间隙放电 ±15kV
IEC 61000-4-5 浪涌3.0A (8/20µs)
I/O 电容 0.7pF （典型值）
双向瞬态电压抑制器(TVS) 二极管阵列
低ESD 钳位电压
工业温度范围： -40°C 至 125°C
小型、易于走线的DRL 和DCK 封装

应用领域

血糖仪
平板电脑
全球定位系统(GPS)
便携式媒体播放器
电视
机顶盒

优惠活动

购买数量

(4000个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个4000个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交60单

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	500pA
	通道数	四路
	工作温度	-40℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.7pF