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DF2S6P2CTC,L3F实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DF2S6P2CTC,L3F

ESD 5.5V截止 峰值浪涌电流:80A@8/20us

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描述
DF2S6P2CTC是一款TVS二极管(ESD保护二极管),用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件,使其免受静电和噪声影响。DF2S6P2CTC实现了高IPP,可保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压(电源启动时)的影响。此外,DF2S6P2CTC采用超紧凑型封装(1.6 mm×0.8 mm),适用于对占用空间要求较小的应用。
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
DF2S6P2CTC,L3F
商品编号
C1972971
商品封装
CST-2-C​
包装方式
编带
商品毛重
0.048克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
反向截止电压(Vrwm)5.5V
钳位电压23.7V
峰值脉冲电流(Ipp)80A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)1.9kW@8/20us
击穿电压8V
属性参数值
反向电流(Ir)100nA
工作温度-
防护等级IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容600pF

商品概述

DF2S6P2CTC是一款TVS二极管(ESD保护二极管),用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件,使其免受静电和噪声影响。 DF2S6P2CTC实现了高IPP,可保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压(电源启动时)的影响。 此外,DF2S6P2CTC采用超紧凑型封装(1.6 mm×0.8 mm),适用于对占用空间要求较小的应用。

商品特性

  • 适用于5.0 V信号线。(VRWM≤5.5 V)
  • 凭借高ESD性能保护器件。(VESD = ±30 kV(接触/空气)@IEC61000 - 4 - 2)
  • 低动态电阻可保护半导体器件免受静电和噪声影响。(RDYN = 0.08 Ω(典型值))
  • 具有回滞特性,实现低钳位电压,保护半导体器件。(VC = 18 V@IPP = 80 A(典型值))
  • 紧凑型封装适用于如移动设备等高密度电路板布局。尺寸为1.6 mm×0.8 mm(昵称:CST2C)

应用领域

  • 移动设备
  • 智能手机
  • 平板电脑
  • 笔记本电脑
  • 台式电脑

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(10000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个10000个/圆盘

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