DF2S6P2CTC,L3F
ESD 5.5V截止 峰值浪涌电流:80A@8/20us
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- 描述
- DF2S6P2CTC是一款TVS二极管(ESD保护二极管),用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件,使其免受静电和噪声影响。DF2S6P2CTC实现了高IPP,可保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压(电源启动时)的影响。此外,DF2S6P2CTC采用超紧凑型封装(1.6 mm×0.8 mm),适用于对占用空间要求较小的应用。
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- DF2S6P2CTC,L3F
- 商品编号
- C1972971
- 商品封装
- CST-2-C
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5.5V | |
| 钳位电压 | 23.7V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 80A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 1.9kW@8/20us | |
| 击穿电压 | 8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 工作温度 | - | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 600pF |
商品概述
DF2S6P2CTC是一款TVS二极管(ESD保护二极管),用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件,使其免受静电和噪声影响。 DF2S6P2CTC实现了高IPP,可保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压(电源启动时)的影响。 此外,DF2S6P2CTC采用超紧凑型封装(1.6 mm×0.8 mm),适用于对占用空间要求较小的应用。
商品特性
- 适用于5.0 V信号线。(VRWM≤5.5 V)
- 凭借高ESD性能保护器件。(VESD = ±30 kV(接触/空气)@IEC61000 - 4 - 2)
- 低动态电阻可保护半导体器件免受静电和噪声影响。(RDYN = 0.08 Ω(典型值))
- 具有回滞特性,实现低钳位电压,保护半导体器件。(VC = 18 V@IPP = 80 A(典型值))
- 紧凑型封装适用于如移动设备等高密度电路板布局。尺寸为1.6 mm×0.8 mm(昵称:CST2C)
应用领域
- 移动设备
- 智能手机
- 平板电脑
- 笔记本电脑
- 台式电脑
优惠活动
购买数量
(10000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个10000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单

