温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SSM3J132TU,LF
1个P沟道 耐压:12V 电流:5.4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J132TU,LF
- 商品编号
- C146275
- 商品封装
- 2-2U1A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 94mΩ@1.2V,0.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 525pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 525pF |
商品概述
这种增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和Supertex成熟的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 Supertex的垂直DMOS场效应晶体管（FET）非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
- 无二次击穿
- 低功率驱动要求
- 易于并联
- 低输入电容（Ciss）和快速开关速度
- 出色的热稳定性
- 集成源漏二极管
- 高输入阻抗和高增益
应用领域
-电机控制-转换器-放大器-开关-电源电路-驱动器(继电器、锤击器、螺线管、灯、存储器、显示器、双极晶体管等)