温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SSM3K123TU,LF
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：1.5V驱动。 低导通电阻：RDS(on) = 66mΩ（最大值）(VGS = 1.5V)。RDS(on) = 43mΩ（最大值）(VGS = 1.8V)。RDS(on) = 32mΩ（最大值）(VGS = 2.5V)。RDS(on) = 28mΩ（最大值）(VGS = 4.0V)。应用：电源管理开关应用。 高速开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K123TU,LF
- 商品编号
- C146289
- 商品封装
- 2-2U1A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 66mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.01nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 162pF |
商品特性
- 1.5 V驱动
- 低导通电阻:Ron = 66 mΩ(最大值)(@VGS = 1.5 V)
- Ron = 43 mΩ(最大值)(@VGS = 1.8 V)
- Ron = 32 mΩ(最大值)(@VGS = 2.5 V)
- Ron = 28 mΩ(最大值)(@VGS = 4.0 V)
应用领域
- 电源管理开关应用
- 高速开关应用