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SSM3J332R,LF
1个P沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- 特性：1.8V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 144mΩ(最大值)(VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 72.0mΩ(最大值)(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 50.0mΩ(最大值)(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) = 42.0mΩ(最大值)(VGS = 10V)。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J332R,LF
- 商品编号
- C146367
- 商品封装
- SOT-23F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 144mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 1.8V驱动
- 低导通电阻:RDS(ON) = 144 mΩ(最大值)(@VGS = -1.8 V)
- RDS(ON) = 72.0 mΩ(最大值)(@VGS = -2.5 V)
- RDS(ON) = 50.0 mΩ(最大值)(@VGS = -4.5 V)
- RDS(ON) = 42.0 mΩ(最大值)(@VGS = -10 V)