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T2N7002BK,LM
N沟道 耐压:60V 电流:400mA
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- 描述
- 特性：ESD(HBM) 等级：2 kV。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 1.05Ω（典型值）(@ VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 1.15Ω（典型值）(@ VGS = 5.0V)。 -RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）(@ VGS = 4.5V)。应用：高速开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- T2N7002BK,LM
- 商品编号
- C146372
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.75Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.5pF |
商品特性
- 静电放电(人体模型)等级2 kV
- 低漏源导通电阻
- 漏源导通电阻RDS(ON) = 1.05 Ω(典型值)(@栅源电压VGS = 10 V)
- 漏源导通电阻RDS(ON) = 1.15 Ω(典型值)(@栅源电压VGS = 5.0 V)
- 漏源导通电阻RDS(ON) = 1.2 Ω(典型值)(@栅源电压VGS = 4.5 V)
应用领域
- 高速开关