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SSM3K37FS,LF
1个N沟道 耐压:20V 电流:200mA
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- 描述
- N沟道,20V,0.2A,2.2Ω@4.5V
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K37FS,LF
- 商品编号
- C150189
- 商品封装
- SC-75(SOT-416)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 12pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.5pF |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET的低导通电阻RDS(on)可确保功率损耗最小化并节约能源，使这些器件非常适合用于对空间要求较高的电源管理电路。
商品特性
- 1.5V驱动
- 低导通电阻RDS(ON) = 5.60 Ω(最大值)(@VGS = 1.5 V)
- R D S (O N) = 4.05 Ω(最大值)( @ V G S = 1.8V)
- R D S (O N) = 3.02 Ω(最大值)( @ V G S = 2.5V)
- R D S (O N) = 2.20 Ω(最大值)( @ V G S = 4.5V)
应用领域
- 高速开关应用
- 模拟开关应用