HN1B04FE-GR,LF
NPN+PNP 电流:150mA 电压:50V
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- 描述
- 特性:高电压和高电流:VCEO = 50V,IC = 150mA(最大值)。高hFE:hFE = 120至400。出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值)。高电压和高电流:VCEO = -50V,IC = -150mA(最大值)。高hFE:hFE = 120至400。出色的hFE线性度:hFE(IC = -0.1mA) / hFE(IC = -2mA) = 0.95(典型值)。应用:音频通用放大器应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- HN1B04FE-GR,LF
- 商品编号
- C150194
- 商品封装
- SOT-666-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 150mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 120@2mA,6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 80MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 100mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个4000个/圆盘
总价金额:
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