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HN1B04FE-GR,LF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HN1B04FE-GR,LF

NPN+PNP 电流:150mA 电压:50V

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描述
特性:高电压和高电流:VCEO = 50V,IC = 150mA(最大值)。高hFE:hFE = 120至400。出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值)。高电压和高电流:VCEO = -50V,IC = -150mA(最大值)。高hFE:hFE = 120至400。出色的hFE线性度:hFE(IC = -0.1mA) / hFE(IC = -2mA) = 0.95(典型值)。应用:音频通用放大器应用
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
HN1B04FE-GR,LF
商品编号
C150194
商品封装
SOT-666-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.01克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN+PNP
集电极电流(Ic)150mA
集射极击穿电压(Vceo)50V
耗散功率(Pd)100mW
直流电流增益(hFE)120@2mA,6V
属性参数值
特征频率(fT)80MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))100mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个NPN+1个PNP

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