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SSM6N56FE,LM
2个N沟道 耐压:20V 电流:800mA
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- 描述
- 特性：1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 235mΩ（最大值）（VGS = 4.5V，ID = 800mA）。RDS(ON) = 300mΩ（最大值）（VGS = 2.5V，ID = 600mA）。RDS(ON) = 480mΩ（最大值）（VGS = 1.8V，ID = 200mA）。RDS(ON) = 840mΩ（最大值）（VGS = 1.5V，ID = 50mA）。应用：高速开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6N56FE,LM
- 商品编号
- C146449
- 商品封装
- SOT-563(SOT-666)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.019克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 840mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 55pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
商品特性
- 1.5-V栅极驱动电压
- 低漏源导通电阻
- RDS(ON) = 235 mΩ(最大值)(@ VGS = 4.5 V,ID = 800 mA)
- RDS(ON) = 300 mΩ(最大值)(@ VGS = 2.5 V,ID = 600 mA)
- RDS(ON) = 480 mΩ(最大值)(@ VGS = 1.8 V,ID = 200 mA)
- RDS(ON) = 840 mΩ(最大值)(@ VGS = 1.5 V,ID = 50 mA)
应用领域
-高速开关