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VNS3NV04DPTR-E

全保护型功率MOSFET

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描述: OMNIFET II全自动保护功率MOSFET
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: VNS3NV04DPTR-E
商品编号: C146561
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.244克(g)

商品参数

	属性	参数值
	导通电阻	120mΩ
	工作温度	-40℃~+150℃
	特性	过热保护(OTP)；过压保护(OVP)；短路保护(SCP)；过流保护(OCP)

商品概述

VNS3NV04DP-E器件由两个单片芯片（OMNIFET II）组成，采用标准SO-8封装。OMNIFET II采用VIPower M0-3技术设计，旨在用于高达50 kHz的直流应用中替代标准功率MOSFET。内置热关断、线性电流限制和过压钳位功能，可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压可以检测故障反馈。

商品特性

ECOPACK：无铅且符合RoHS标准；汽车级：符合AEC指南
线性电流限制
热关断
短路保护
集成钳位
输入引脚电流消耗低
通过输入引脚进行诊断反馈
ESD保护；可直接接入功率MOSFET的栅极（模拟驱动）
与标准功率MOSFET兼容

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	属性	参数值
	商品目录	功率电子开关
	通道数	2
	最大连续电流	3.5A
	工作电压	-