温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFS4227TRLPBF
1个N沟道 耐压:200V 电流:62A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏中的维持、能量回收和通路开关应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻和低脉冲能量（EpuLsE）额定值。该MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和高重复峰值电流能力
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFS4227TRLPBF
- 商品编号
- C146578
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 330W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
商品特性
- 先进的工艺技术,关键参数针对PDP维持、能量回收和通路开关应用进行优化
- 低脉冲能量(E\text PULSE)额定值,可降低PDP维持、能量回收和通路开关应用中的功耗
- 低栅极电荷(QG),响应速度快
- 高重复峰值电流能力,确保可靠运行
- 短下降和上升时间,实现快速开关
- 175°C工作结温,提高耐用性
- 重复雪崩能力,保证坚固性和可靠性
应用领域
- 开关稳压器