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TPN11003NL,LQ
1个N沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- N沟道,30V,11A,11mΩ@10V
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPN11003NL,LQ
- 商品编号
- C150144
- 商品封装
- PQFN-8(3.1x3.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 19W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@0.1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小：QSW = 2.0 nC（典型值）
- 漏源导通电阻低：RDS(ON) = 12.6 mΩ（典型值）（VGS = 4.5 V）
- 泄漏电流低：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 30 V）
- 增强型：Vth = 1.3 至 2.3 V（VDS = 10 V，ID = 0.1 mA）
应用领域
- 开关稳压器
- DC-DC 转换器