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HN1A01FE-Y,LF
PNP 电流:150mA 电压:50V
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- 描述
- 特性：小封装（双类型）。 高电压和高电流：VCEO = -50V，Ic = -150mA (max)。 高hFE：hFE = 120 to 400。 出色的hFE线性度：hFE(Ic = -0.1mA) / hFE(Ic = -2mA) = 0.95 (typ.)。应用：音频频率通用放大器应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- HN1A01FE-Y,LF
- 商品编号
- C150162
- 商品封装
- SOT-666-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 150mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 120@2mA,6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 80MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@100mA,10mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 2个PNP |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个4000个/圆盘
总价金额：
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