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SSM3J351R,LF
1个P沟道 耐压:60V 电流:3.5A
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- 描述
- 特性：4V驱动。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 107mΩ（典型值）(VGS = -10V)；RDS(ON) = 122mΩ（典型值）(VGS = -4.5V)；RDS(ON) = 129mΩ（典型值）(VGS = -4.0V)。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J351R,LF
- 商品编号
- C150147
- 商品封装
- SOT-23F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 184mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品特性
- 4V驱动
- 低漏源导通电阻:
- RDS(ON) = 107 mΩ(典型值)(VGS = -10 V)
- RDS(ON) = 122 mΩ(典型值)(VGS = -4.5 V)
- RDS(ON) = 129 mΩ(典型值)(VGS = -4.0 V)
应用领域
- 电源管理开关