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SSM3J356R,LF
1个P沟道 耐压:60V 电流:2A
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- 描述
- 特性：4V门驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 400 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V)。 RDS(ON) = 300 mΩ (max) (@VGS = -10 V)。 AEC-Q101合格。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J356R,LF
- 商品编号
- C146306
- 商品封装
- SOT-23F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@4V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
优惠活动
购买数量
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