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SSM3J338R,LF
1个P沟道 耐压:12V 电流:6A
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- 描述
- 特性：1.8 V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 26.3mΩ（典型值）(@VGS = -1.8V)；RDS(ON) = 20.1mΩ（典型值）(@VGS = -2.5V)；RDS(ON) = 15.9mΩ（典型值）(@VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J338R,LF
- 商品编号
- C146352
- 商品封装
- SOT-23F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品特性
- 1.8 V栅极驱动电压。
- 低漏源导通电阻：
- RDS(ON) = 26.3 mΩ（典型值）（@ VGS = -1.8 V）
- RDS(ON) = 20.1 mΩ（典型值）（@ VGS = -2.5 V）
- RDS(ON) = 15.9 mΩ（典型值）（@ VGS = -4.5 V）
应用领域
- 电源管理开关