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SSM3J325F,LF
1个P沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- 特性：1.5V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 311mΩ(最大值)(VGS = 1.5V)。 RDS(ON) = 231mΩ(最大值)(VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 179mΩ(最大值)(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 150mΩ(最大值)(VGS = 4.5V)
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J325F,LF
- 商品编号
- C146364
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 311mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 4引脚DIP封装是一种低成本的机器可插入式封装样式，可在标准0.1英寸引脚间距上进行多种组合堆叠。双漏极可作为与安装表面的热连接，功率耗散最高可达1 W。
商品特性
- 1.5V驱动
- 低导通电阻:RDS(ON) = 311 m Ω(最大值)(@VGS = -1.5 V)
- RDS(ON) = 231 m Ω(最大值)(@VGS = -1.8 V)
- RDS(ON) = 179 m Ω(最大值)(@VGS = -2.5 V)
- RDS(ON) = 150 m Ω(最大值)(@VGS = -4.5 V)