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SSM6J511NU,LF
1个P沟道 耐压:12V 电流:14A
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- 描述
- 特性：1.8 V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：Δ:RDS(ON) = 13.5mΩ（最大值，VGS = -2.5V），RDS(ON) = 10mΩ（最大值，VGS = -4.5V）。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6J511NU,LF
- 商品编号
- C146307
- 商品封装
- PDFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.35nF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 570pF | |
| 工作温度 | - |
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