温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SSM6J501NU,LF
1个P沟道 耐压:20V 电流:10A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：1.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 43.0mΩ（最大值） (VGS =-1.5V)。RDS(ON) = 26.5mΩ（最大值） (VGS =-1.8V)。RDS(ON) = 19.0mΩ（最大值） (VGS =-2.5V)。RDS(ON) = 15.0mΩ（最大值） (VGS =-4.5V)
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6J501NU,LF
- 商品编号
- C146326
- 商品封装
- UDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品特性
- 1.5 V 驱动
- 低导通电阻：RDS(ON) = 43.0 mΩ（最大值）（VGS = −1.5 V 时）
- RDS(ON) = 26.5 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
- RDS(ON) = 19.0 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
- RDS(ON) = 15.3 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)
应用领域
- 负载开关应用