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SSM6J501NU,LF
1个P沟道 耐压:20V 电流:10A
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- 描述
- 特性：1.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 43.0mΩ（最大值） (VGS =-1.5V)。RDS(ON) = 26.5mΩ（最大值） (VGS =-1.8V)。RDS(ON) = 19.0mΩ（最大值） (VGS =-2.5V)。RDS(ON) = 15.0mΩ（最大值） (VGS =-4.5V)
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6J501NU,LF
- 商品编号
- C146326
- 商品封装
- UDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@1.5V,2.0A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：5 个3000个/圆盘
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