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SSM3K15ACT,L3F
1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
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- 描述
- 特性：2.5V驱动，低导通电阻：RDS(ON) = 3.6Ω（最大值） (VGS = 4V)；RDS(ON) = 6.0Ω（最大值） (VGS = 2.5V)
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K15ACT,L3F
- 商品编号
- C146321
- 商品封装
- SOT-883-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@2.5V,10mA | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@0.1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 13.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8pF |
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