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SSM3J358R,LF
1个P沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 特性：1.8 V驱动。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 49.3 mΩ（最大值）(@VGS = -1.8V)。RDS(ON) = 32.8 mΩ（最大值）(@VGS = -2.5V)。RDS(ON) = 27.7 mΩ（最大值）(@VGS = -3.6V)。RDS(ON) = 25.3 mΩ（最大值）(@VGS = -4.5V)。RDS(ON) = 22.1 mΩ（最大值）(@VGS = -8V)。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J358R,LF
- 商品编号
- C146322
- 商品封装
- SOT-23F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49.3mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38.5nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.331nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 118pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品特性
- 1.8V驱动
- 低漏源导通电阻:
- RDS(ON) = 49.3 mΩ(最大值)(@ VGS = -1.8 V)
- RDS(ON) = 32.8 mΩ(最大值)(@ VGS = -2.5 V)
- RDS(ON) = 27.7 mΩ(最大值)(@ VGS = -3.6 V)
- RDS(ON) = 25.3 mΩ(最大值)(@ VGS = -4.5 V)
- RDS(ON) = 22.1 mΩ(最大值)(@ VGS = -8 V)
应用领域
- 电源管理开关