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SSM6J507NU,LF实物图
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SSM6J507NU,LF

耐压:30V 电流:10A

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描述
特性:4V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 20mΩ(最大值)(VGS = -10V)。 RDS(ON) = 28mΩ(最大值)(VGS = -4.5V)。 RDS(ON) = 32mΩ(最大值)(VGS = -4.0V)。应用:电源管理开关
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
SSM6J507NU,LF
商品编号
C146318
商品封装
UDFNB-6(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.032克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))32mΩ@4V,4.0A
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))2.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20.4nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.15nF
反向传输电容(Crss)185pF
工作温度-
类型P沟道
输出电容(Coss)210pF

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(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)
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