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SSM6J507NU,LF
耐压:30V 电流:10A
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- 描述
- 特性：4V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 20mΩ（最大值）（VGS = -10V）。 RDS(ON) = 28mΩ（最大值）（VGS = -4.5V）。 RDS(ON) = 32mΩ（最大值）（VGS = -4.0V）。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6J507NU,LF
- 商品编号
- C146318
- 商品封装
- UDFNB-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4V,4.0A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品特性
- 4V栅极驱动电压。
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 20mΩ（最大值）（@ VGS = - 10V）；RDS(ON) = 28mΩ（最大值）（@ VGS = - 4.5V）；RDS(ON) = 32mΩ（最大值）（@ VGS = - 4.0V）
应用领域
- 电源管理开关