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TPN11006NL,LQ

1个N沟道 耐压:60V

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描述
N沟道,60V,17A,11.4mΩ@10V
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
TPN11006NL,LQ
商品编号
C146304
商品封装
TSDSON-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)37A
导通电阻(RDS(on))11.4mΩ@10V,8.5A
耗散功率(Pd)30W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)23nC@10V
输入电容(Ciss)1.5nF
反向传输电容(Crss)23pF
类型N沟道
输出电容(Coss)350pF

商品特性

  • 高速开关
  • 小栅极电荷:QSW = 6.4 nC(典型值)
  • 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 9.6 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
  • 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值),VDS = 60 V
  • 增强型模式:Vth = 1.5 至 2.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.2 mA)

应用领域

  • 开关稳压器-直流-直流转换器-电机驱动器

数据手册PDF